Πέμπτη, 15 Δεκεμβρίου 2011

Ερχονται ταχύτεροι και με λιγότερο βάρος υπολογιστές .

Έρχονται ταχύτεροι και με λιγότερο βάρος υπολογιστές

Από το επόμενο έτος, οι υπολογιστές θα είναι δυνατόν να εξοπλιστούν με τρισδιάστατα τρανζίστορ, τα οποία δηλαδή θα διαθέτουν και την κατακόρυφη συνιστώσα στις διαστάσεις τους, εν αντιθέσει με αυτά που έχουμε συνηθίσει να βλέπουμε μέχρι τώρα. 

Η νέα αυτή δομή θα επιτρέψει μικρότερες gates, οι οποίες συνιστούν το τμήμα εκείνο που επιτρέπει στα τρανζίστορ, να κατευθύνουν την ροή του ρεύματος και την έντασή του. Όσο μικρότερη είναι η πύλη, τόσο πιο γρήγορα ο υπολογιστής μπορεί να λειτουργήσει, και τα νέα 3D τρανζίστορ έχουν μήκος πύλης 22 νανόμετρα, σε αντίθεση με τα σημερινά μήκη τα οποία κινούνται περίπου στα 45. 

Ένας άλλος παράγοντας που περιορίζει το μέγεθος των gates, είναι και το υλικό κατασκευής του, το πυρίτιο. Γι 'αυτό, οι επιστήμονες από τα πανεπιστήμια του Purdue και του Χάρβαρντ δημιούργησαν πρωτότυπα 3D τρανζίστορ κατασκευασμένα από ίνδιο-γάλλιο-αρσενικό, την ίδια ένωση δηλαδή που χρησιμοποιήθηκε και πρόσφατα για την κατασκευή υπερ-παραγωγικών ηλιακών κυττάρων.

Οι υπολογιστές εξοπλισμένοι με τα εν λόγω 3D τρανζίστορ δε θα είναι μόνο ταχύτεροι, αλλά θα ζυγίζουν λιγότερο, και θα παράγουν και λιγότερη θερμότητα από τους σημερινούς υπολογιστές με τα κοινά «ρηχά» τρανζίστορ. Οι νέες βελτιωμένες gates, είναι κατασκευασμένες από διηλεκτρικά επικαλυμμένα νανοσύρματα πυριτίου, ενώ εκτιμάται ότι είναι πιθανό να αγγίξουν μέχρι και τα 14 νανόμετρα μέσα στα επόμενα λίγα χρόνια. Για να καταφέρουν να το επιτύχουν αυτό, θα πρέπει να βρεθεί ένα υλικό το οποίο να επιτρέπει την ταχύτερη κίνηση των ηλεκτρονίων, απ’ ότι το πυρίτιο.

Μελέτες από πύλες κατασκευασμένες από ίνδιο-γάλλιο-αρσενικό, προτείνουν ότι ίσως είναι σε θέση να προσφέρουν γρηγορότερη- κατά πέντε φορές- κίνηση των ηλεκτρονίων από αυτές του πυριτίου και μάλιστα με μήκος μόλις 10 νανόμετρα.

Σε οποιοδήποτε μήκος κάτω των 14 νανομέτρων, το μονωτικό στρώμα πυριτίου, δεν λειτουργεί σωστά, με αποτέλεσμα να μη λειτουργεί σωστά και η πύλη, επιτρέποντας διαρροή ηλεκτρικού ρεύματος. Για το σκοπό αυτό, το Purdue / Harvard τρανζίστορ χρησιμοποιεί αντ 'αυτού μια λεπτή στρώση οξειδίου του αργιλίου. Φαίνεται να χρησιμεύσει ως ένα καλύτερο μονωτικό υλικό σε μια τόσο μικρή κλίμακα, η οποία με τη σειρά της θα πρέπει να επιτρέψει στα τρανζίστορ να τρέξουν γρηγορότερα, χρησιμοποιώντας ταυτόχρονα και λιγότερη ενέργεια.

Η παραγωγική διαδικασία για την 3D τρανζίστορ ίνδιο-γάλλιο-αρσενικό θα μπορούσε να εφαρμοστεί εύκολα στις υπάρχουσες διαδικασίες κατασκευής, αναφέρουν οι επιστήμονες, οπότε και υιοθέτηση της τεχνολογίας σε μεγάλη κλίμακα δεν θα είναι κάτι το ανέφικτο.

Περισσότερες ειδήσεις για την τεχνολογία στο proho.gr

Δεν υπάρχουν σχόλια:

Δημοσίευση σχολίου